Прикладная экология

[-DRACO-]

Хотя на самом деле это радиоэкология.
Была вчера. В этот раз я без единого шпоруса... Билет удачный попался. И получилась 4.

Но ещё рано радоваться. Меня ещё ждёт:
1) Две лабораторных. По сути это просто рассчёты в специальных прогах и оформить результаты в виде отчёта.
2) Курсовая. Вся практическая часть сделана. Нужно только чуть-чуть рассчётов сделать и написать всё.
3) Четвёртый экзамен, не простой.
4) И самое страшное, зачёт по физическим установкам. Будет в чт. Преподаватель настолько суров, что челябинцы отдыхают. И некоторые темы по этому предмету достаточно сложны для моего понимания, ибо касаются электроники. Предлагаю заценить выдержку из лекций (в качестве бреда) про сос-диоды, которых я боюсь больше всего:

Трепещите!

Принцип работы SOS-ключа основан на создании ЭДП во время прямой накачки, когда p-n-переход включен в прямом направлении и под действием возникающего электрического поля дырки из р-области дрейфуют в базу диода, а электроны из n-области перемещаются в обратном направлении и постепенно заполняют р-область структуры. При прямой накачке основной вклад в общее сопротивление прерывателя вносит базовая область p+–p–n–n+-структуры, поскольку концентрация носителей в ней минимальна. На начальной стадии накачки нарастание плотности тока через диод происходит быстрее, чем падение сопротивления базы, что приводит к появлению положительного всплеска напряжения на SOS-ключе, а в базе возникает область сильного электрического поля.
Затем сопротивление p+–p–n–n+-структуры становится меньше волнового сопротивления контура, вплоть до момента обрыва тока, и сопротивление через него определяется внешним контуром. К моменту завершения накачки подавляющая часть накопленного заряда сосредоточена в высоколегированных областях структуры: электроны в р-области, дырки в n+-области. Минимум концентрации плазмы расположен в базе и имеет величину порядка 1016 см-3
После прохождения тока через ноль, во время обратного направления тока, плазма изменяет направление своего движения и начинает возвращаться к плоскости p-n-перехода. На этой стадии концентрация неравновесных носителей соответствует высокому уровню инжекции и основная плазма движется медленнее, чем ее фронт. В результате происходит обострение фронтов профиля плазмы сначала в р-области, а затем и n-области структуры.
После образования резких фронтов в пространственном распределении плазмы области p+–p–n–n+-структуры, расположенные за фронтами, оказываются практически полностью свободными от инжектированных носителей заряда. В этих областях перенос тока осуществляется только основными носителями, концентрация которых минимальна на внешней стороне фронтов плазмы. При приближении фронтов к точкам, где плотность тока, текущего через структуру, станет равна плотности тока насыщения основных носителей, абсолютная величина поля на фронтах плазмы резко увеличивается, скорость дрейфа носителей приближается к скорости насыщения, а их подвижность падает.
Уменьшение подвижности носителей означает, что в области фронтов образуются участки структуры с высоким эффективным сопротивлением. Это приводит к снижению тока через прерыватель. Амплитуда напряженности поля за фронтом плазмы ограничивается процессами генерации электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации. При этом дополнительные носители обеспечивают прохождение тока через область с низкой концентрацией плазмы. В результате в полупроводниковой структуре возникает характерная область сильного поля (в) с четко выраженными границами. Внешняя граница области, занятой полем, соответствует точке, где выполняется условие насыщения тока, и практически неподвижна, а внутренняя совпадает с положением фронта плазмы. Поскольку фронт плазмы продолжает перемещается в сторону базы, размер области, в которой существует сильное поле, увеличивается, отрицательное поле на структуре растет, а на прерывателе формируется фронт импульса напряжения.

@темы: Из жизни, Маразм, Наука